三星V10 BV-NAND真正值患上存眷的，不只是跨越400层，而是高密度节点、QLC与晶圆键合怎样转变单元瓶颈资源的及格有用bit产出。于笔者看来，2026年NAND偏紧其实不抵牾在2027年供应转松。下一轮供应变化未必起首来改过Fab，也可能来自“不异焦点瓶颈资源可以或许形成更多可发卖bit”的技能迁徙。 2026年的NAND市场仍处于布局性紧张之中。AI办事器与企业级SSD继承接收高价值产能，供给商于本钱开支及晶圆投入上连结克制，消费电子客户则愈来愈难蒙受高价。TrendForce估计，2026年NAND行业仍存于约4% 5%的供应缺口，办事器已经经成为最强的bit需求支点之一。[1] 但对于周期判定而言，最伤害的做法，是把 此刻缺货 线性外推成 将来仍旧缺货 。三星8月于FMS2026披露的V10BV-NAND提供了一个不雅察窗口：当更高层数、横向缩小、QLC与晶圆键合配合提高bit密度时，行业纵然没有同步增长年夜量晶圆投入，也可能慢慢得到新的供应弹性。 是以，V10真正值患上研究的问题不是 400层象征着甚么 ，也不是 9月价格会不会跌 ，而是NAND供应函数是否正于发生变化。 传统上，市场判定NAND供应起首看新Fab、waferstarts及稼动率。这些指标依然主要，但对于在3DNAND已经经不敷。NAND的工艺迁徙自己可以带来显著的bitgrowth：层数增长、横向缩小、QLC渗入及架构变化，均可能让一样的焦点制造资源形成更多bit。 为便在阐发，本文把这类征象暂称为 技能型bit扩产 。这不是行业尺度术语，而是一种供应阐发框架：于cell-array晶圆投入或者干净室范围没有年夜幅增长时，经由过程密度、良率、重叠、横向缩小、QLC及架构优化，提高终极及格、可认证、可发卖bit的产出。 研究NAND供应时，至少要区别三层：第一层是物理晶圆产能，回覆每个月能投入几多片晶圆；第二层是理论bit产能，回覆设计密度对于应几多bit；第三层是及格有用bit产能，回覆扣除了工艺节奏、组合良率、测试、认证及产物匹配后，毕竟有几多bit能不变交付。真正进入库存及价格的是第三层。 图1：从晶圆投入到市场供应，真正决议价格的是 及格有用bit 制图/资料来历：存储阿翁哥 三星宣布的V10BV-NAND跨越400层，相对于V9约晋升58%的bit密度，并面向128TBSSD、下一代PCIeGen7等高机能运用。公然技能资料还有给出了跨越4.8Gbps的I/O速率、跨越33%的机能晋升及跨越25%的功耗降落。[3][4] 更主要的架构变化，是把存储单位阵列与外围电路别离制造于两片晶圆上，再经由过程晶圆键合组合。cell与peripheralcircuit可以采用更合适各自的工艺与热预算，外围电路也再也不占用统一平面的面积，这为密度、机能及功耗同时改善提供了空间。[4] 但58%的bitdensity晋升不克不及被直接注释成58%的行业供应增加，也不克不及直接注释成58%的成本降落。起首，这一密度增益来自更高层数、3-stackHARCMerge、横向邦畿优化、MultiHole、ZeroDu妹妹yHole与键合等多项改良，并不是bonding单项孝敬。其次，bondedNAND增长了外围晶圆、键合装备、检测及测试流程，终极经济成果还有遭到双侧晶圆良率、组合良率、工艺节奏及折旧影响。 换句话说，工程指标要成为实际供应，至少需要依次穿过三道门：技能可行、制造不变、市场可发卖。任何一层没有经由过程，发布会上的理论bit都不会完备转化成贸易供应。 图2：密度增益到有用供应之间仍存于制造、成本及贸易化损耗 制图/资料来历：存储阿翁哥 晶圆键归并非三星独占。SKhynix于混淆键合技能资猜中提到，YMTC较早将相干架构用在Flash；Kioxia的CBA线路一样把外围电路与cellarray分隔制造并键合，并将其与横向缩小、bitdensity及本钱效率接洽起来。[5][6] 这使V10的意义凌驾了单一产物：假如多家主流厂商同时经由过程更高层数、QLC、横向缩小及bonding提高bit出产率，那末单一技能发布才可能慢慢转化成行业级的供应变化。 但要害仍旧是瓶颈位置。假如高妙宽比刻蚀及cell-array产能是重要约束，而peripheralwafer可以由成熟产能承接，bonding就有时机放年夜每一单元焦点瓶颈资源的bit产出；假如外围晶圆、键合装备、瞄准、翘曲节制或者组合良率成为新的瓶颈，供应弹性就会被推延。 这也是为何不雅察NAND供应不克不及只统计 总waferstarts 。对于在bondedNAND，还有需要区别cell-array瓶颈资源、peripheralwafer投入以和终极组合良率。 TrendForce估计，2027年NAND供应增速可能跨越需求增速，供需均衡有望于下半年由紧张转向宽松。[1]V10为这一判定提供了技能侧证据，但其实不是充实前提。 2027年的现实成果至少取决在六组气力：手机与PC需求可否恢复；Samsung之外的Kioxia/SanDisk、SKhynix等厂商节点迁徙速率；QLC渗入率；原厂是否增长waferinput及稼动率；供给商和渠道库存怎样变化；以和AI与企业级SSD可否继承接收新增bit。 这些变量可能互相抵消。高密度节点顺遂爬坡，会增长有用供应；原厂自动降低晶圆动工，又可能抵消密度晋升。消费需求疲弱会放年夜宽松，而128TB级企业SSD及AI推理基础举措措施超预期，则可能继承接收新增bit。 是以， V10发布 2027多余 不是严谨的因果链。更正确的表述是：高密度节点与技能型bit扩产正于提高2027年之后NAND供应转松的几率。 为了验证这一判定，将来12 18个月更值患上跟踪的是：两家以上主流厂商的高密度节点是否进入不变范围出货；及格有用bit增速是否连续快在cell-arraywaferinput；高容量产物库存是否最先累积；以和客户认证是否按规划完成。反过来，假如bonding良率及工艺节奏持久不达预期，或者AI需求彻底接收新增bit，那末技能迁徙对于周期的影响就需要从头评估。 纵然2027年总bit供应最先转松，也不料味着所有NAND产物同时下跌。高密度新bit会优进步前辈入最合适其良率、认证及经济性的产物，而旧节点退出可能让部门永生命周期料号继承紧张。 Samsung今朝把V10重点放于128TBSSD及PCIeGen7等高机能运用；但进步前辈节点其实不必然只流向企业级市场。SKhynix的321层2TbQLC于进入量产与验证后，公然计划是先用在PCSSD，再扩大至企业级SSD及UFS。[7]产物流向终极取决在节制器与固件预备、客户认证、良率及原厂产物组合。 图3：高密度bit开释对于差别NAND产物的影响存于较着分解 制图/资料来历：存储阿翁哥 对于供给链企业而言，这象征着库存治理的单元不克不及再只是 NAND 。更成心义的维度是产物、容量、接口、认证及BOM。越尺度化、容量越高、平台切换越快的产物，越可能较早感触感染到高密度bit开释；越依靠旧节点、特定节制器、工业认证及持久供货承诺的料号，价格逻辑越可能继承自力。 2026年的NAND欠缺是真正的。办事器需求强、供给商投资克制、库存偏低，配合支撑了价格与盈利。三星V10也没有转变这一实际，更不足以证实短时间市场已经经反转。 但V10让一个已往轻易被轻忽的问题变患上详细：将来供应不只由晶圆厂面积及每个月投入片数决议，还有由每一单元焦点瓶颈资源可以或许形成几多及格、可认证、可发卖bit决议。晶圆投入不变，其实不等在bit供应不变。 假如高密度节点、QLC、横向缩小与晶圆键合于多家厂商同时成熟，NAND行业纵然没有呈现激进扩Fab，也可能从头得到显著的供应弹性。真正值患上警惕的时点，可能不是市场已经经看到价格下跌，而是及格有用bit的增速最先连续跨越需求。 下一轮NAND周期顶部，未必从新Fab投产最先；它可能先发生于决议供应的 出产函数 里。 参考资料： [1]TrendForce，2026-07-21：NANDFlashSupplyGrowthtoOutpaceDemandin2027。 [2]TrendForce，2026-08-18：TopFiveNANDFlashBrandsRevenuein2Q26。 [3]SamsungGlobalNewsroom，2026-08-05：SamsungUnveilsNext-Gen3DMemoryVisionatFMS2026。 [4]SamsungSemiconductor：V10BV-NAND技能申明与FMS2026相干技能资料。 [5]SKhynixTechNote：HybridBondingasaFoundationalSemiconductorTechnology。 [6]KioxiaCorporateStrategyMeeting2025：CBA、bitdensity与本钱效率线路。 [7]SKhynix：321-layer2TbQLCNANDmassproductionandcustomervalidation。 作者简介与好处披露 存储阿翁哥（邹进华），存储芯片商业从业者、财产研究作者，持久跟踪NAND／DRAMwafer、BGA、DDR／LPDDR、eMMC／UFS与SSD供给链。 好处披露：作者从事存储芯片相干营业。本文基在公然资料与财产不雅察，仅用在行业研究，不组成投资、采购或者生意业务建议。 Apple（苹果）正式推出首款折叠手机iPhone Duo，采用书本式内折设计，搭载7.6英寸内屏幕、5.4英寸外屏幕。TrendForc 光掩模正于履历一场从“6英寸”到“12英寸”的超过。 按照TrendForce集邦咨询最新手机财产查询拜访，2026年第二季全世界智能手机出产总量达2.75亿支，较去年同期降落8%，降落 9月7日，深圳市景旺电子株式会社正式经由过程港交所主板上市聆讯，联席保荐机构为中信证券、美银和国联证券国际 按照TrendForce集邦咨询最新存储器财产研究，2026年第二季因为Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价显著上涨，推 XR眼镜正不停得到市场动能。 焦点零部件占BOM比重升至68%。 长存控股是海内领先的存储器IDM企业。 英伟达、三星电子、SK海力士、美光、台积电、阿斯麦等。 存储器推升iPhone 18系列成本，AI与订价成为换机要害。 DRAM及NAND成本上涨慢慢传导至零售价格，对于入门级装备的需求影响最为较着。 富士康、台积电、广达电脑、纬创、华硕、台达电子等。 安富利携十余家原厂互助伙伴，于本届CIOE中国光博会上集中展示一系列前沿技能及解决方案，致力在鞭策AI算力与光 西部数据援助的全世界研究发明，AI 正于鞭策数据量快速增加、延伸数据留存周期，并从头动员对于汗青数据的需求，进而 近日，爱芯元智正式推出 M9 系列高阶智驾车规芯片，包罗旗舰档位 M97 与主流档位 M95 两款 5nm 制程产 年夜范围半导体系体例造资深专家加盟柔性、可连续半导体技能前锋企业Pragmatic湃迅半导体，助力其范围化赋能物理AI， 小米集团董事长兼CEO雷军正式发布了备受期待的小米18 Fold折叠屏手机，并将其界说为介在年夜折叠与小折叠之间的 矽典微CEO徐鸿涛博士将公司产物线路图演进归纳为三个阶段：先夯实传感器机能，再理解人的用意，终极走向对于人的守 比昂芯科技正以AI驱动EDA提效为出发点，延长至AI天生电路，连续介入财产生态共建。 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